市场供需缺口持续扩大 国内厂商有望受益HBM国产化

近日，全球第二大内存芯片制造商 SK 海力士宣布，已决定投资约 9.4 万亿韩元（约合人民币 493.4 亿元）在韩国龙仁市建立当地首家芯片工厂。计划将于明年 3 月动工建设龙仁集群的首座厂房，并于 2027 年 5 月完工。

华鑫证券分析师毛正指出，随着人工智能的蓬勃发展，对高算力和大带宽的需求推动了存储芯片的发展。

与传统的 DRAM 相比，HBM 技术采用垂直堆叠 DDR 芯片与 GPU 封装，实现了高带宽、低延迟和低功耗，突破了传统内存的限制，迎合了 AI 时代的新需求。目前，全球市场由海力士、三星和美光主导，中国厂商也在积极推进 HBM 国产化，市场供需缺口仍持续扩大。在 DRAM 涨价周期和 AI 驱动的叠加下，HBM 价格预计将继续上涨，市场规模预计在 2024 年达到约 70 亿美元。

值得一提的是，今年 5 月，SK 海力士社长 Kwak Noh-Jung 透露，今年 SK 海力士的 HBM 芯片已售罄，2025 年的 HBM 芯片也几乎全部预定完毕。

根据财联社主题库披露，在相关上市公司中，通富微电是国际领先的封装测试龙头，在全球拥有七大生产基地。公司表示，将持续关注 HBM 技术，并积极开展相关的研发布局等前期工作。长电科技推出的 XDFOI 高性能封装技术平台可以满足 HBM 的封装要求。